Форма документа : Стаття із журналу Шифр видання : Автор(и) : Яценко К. В., Лушнікова І. В., Скибо Г. Г. Назва : Ефекти слабкого постійного електричного струму на нейритогенез у модельних експериментах in vitro Місце публікування : Фізіологічний журнал. - К., 2019. - Том 65, N 4. - С. 41-49 (Шифр ФУ6/2019/65/4) MeSH-головна: ГИППОКАМП -- HIPPOCAMPUS НЕЙРИТЫ -- NEURITES НЕЙРОНЫ -- NEURONS КУЛЬТУРНЫХ СРЕД МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ -- CULTURE TECHNIQUES ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СТИМУЛЯЦИЯ -- ELECTRIC STIMULATION ТРАНСКРАНИАЛЬНАЯ СТИМУЛЯЦИЯ ПОСТОЯННЫМ ТОКОМ -- TRANSCRANIAL DIRECT CURRENT STIMULATION IN VITRO МЕТОДЫ -- IN VITRO TECHNIQUES МОДЕЛИ НА ЖИВОТНЫХ -- MODELS, ANIMAL КРЫСЫ -- RATS Анотація: У роботі досліджено вплив стимуляції нервових клітин слабким постійним струмом (ПС) в експериментах in vitro з використанням коротко- і довгострокових культур дисоційованих клітин гіпокампа. Вплив здійснювали одноразово протягом 4 год за допомогою металевих електродів та приладу для генерації ПС. Оцінювали структурні зміни при дії слабкого ПС (0,25 мА) за нормальних умов культивування або при моделюванні запального процесу за допомогою ліпополісахариду. Аналізували площу нейритів та синаптоподібних структур, а також кількість гліальних клітин. Виявлено, що стимуляція слабким ПС суттєво прискорювала формування нейритів у початковий період культивування гіпокампальних клітин. Протягом 2-5-їдоби після впливу площа нейритів була більшою у середньому на 21,4 ± 1,2 % відносно контролю та на 25,3 ± 1,2 % щодо дії ліпополісахариду. При використанні довгострокових культур (10-12-денних), де структура нейритів мала вигляд добре розвинених мереж, ефекти ПС спостерігалися тільки за умов впливу ліпополісахариду і проявлялися у зменшенні дезорганізації нейритів та збільшенні площі синапсів у середньому на 21,2 ±1,1 %. Крім того, кількість гліальних клітин була менше на 15,6 ± 0,9 %. Таким чином, нейропротекторні ефекти слабкого ПС можуть бути пов ’язані з безпосереднім впливом на нейритогенез і відновленням нервової тканини Дод.точки доступу: Лушнікова, І. В. Скибо, Г. Г.