Гайдар, Г. П.     Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] = Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals / Г. П. Гайдар, П. І. Баронський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Бібліогр.: в кінці ст. Аннотация: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами Доп.точки доступа: Баронський, П. І. Свободных экз. нет