Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : Автор(ы) : Гайдар Г. П., Баронський П. І. Заглавие : Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si Параллельн. заглавия :Dependence of the anisotropy parameter of drag thermal e.m.f. on the concentration of impurities in n-Ge and n-Si crystals Место публикации : Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50 (Шифр ДУ11/2017/5) Примечания : Бібліогр.: в кінці ст. Аннотация: При Т = 85 K на кристалах n-Ge та n-Si досліджено концентраційні залежності параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами Доп.точки доступа: Баронський, П. І.